DRAMeXchange va dir que el preu del contracte DRAM a l'agost d'aquest any va ser el mateix que el mes anterior, i el preu mitjà de 8 GB de DDR4 va arribar a 25,5 dòlars. Tot i que el preu del contracte de setembre es continua negociant, és probable que segueixi sent pla. De cara al 2020, a causa de l’orientació al benefici dels tres grans fabricants de DRAM, l’estimació de la despesa de capital es reduirà en un 10% com a mínim respecte d’aquest any. El creixement anual de la producció l’any que ve també és el més baix dels darrers deu anys, només el 12,5%, sent una base determinada per a la remuntada dels preus.
Al costat del mercat, amb l'aprovació del govern japonès per exportar matèries primeres semiconductores clau, la qüestió comercial entre Japó i Corea del Sud va començar al juliol, però durant el període, els clients OEM es van veure afectats per factors incerts i factors psicològics previstos, cosa que va provocar augmentar les existències d’estocs. El nivell d'aigua en estocs ha disminuït gradualment, passant cap als nivells d'aigua normals.
A més, la tercera temporada coincideix amb la tradicional temporada alta, i els Estats Units començaran a imposar tarifes als productes electrònics exportats a alguns continents a principis de desembre, que també tenen efectes d’enviament anticipat. La demanda és més forta de l’esperat, cosa que permet als fabricants de DRAM negociar preus. L'actitud va ser més ferma i el preu global del tercer trimestre va revertir el descens original i es va convertir en pla.
Jibang va analitzar a més que el pla d’expansió de les tres grans fàbriques originals DRAM s’ha convertit en conservador. Per exemple, la planta Pyeongtaek II de Samsung està a punt d’acabar-se, però no entrarà en la transferència comercial fins al segon trimestre del 2020, i l’equip recentment afegit només dóna suport a la transició al futur nano procés 1Z, la quantitat global de pel·lícula serà ser aproximadament el mateix que aquest any.
La darrera planta M16 de SK Hynix es completarà a la segona meitat de l'any vinent. L’augment més ràpid de la capacitat de producció serà fins al 2021 i l’antiga fàbrica M10 es convertirà gradualment a OEM. Es calcula que el volum de producció general de DRAM no augmentarà ni disminuirà l’any que ve.
La planta de construcció de F afegida per Micron aquest any a la planta d’Hiroshima també és de suport a la transferència al nano-procés 1Z. La capacitat global de la planta d’Hiroshima no ha augmentat. La nova planta A3 que està construint Micron Storage a Taiwan també donarà suport al procés d'1Znm en la fase inicial i augmentarà la producció a curt termini. L’oportunitat no és gran, però, Jibang creu que la base de la planta A3 no és petita, i encara hi ha la possibilitat de noves capacitats en el futur.
Pel que fa a fàbriques de terres, actualment hi ha dues bases de producció de DRAM. La major Hefei Changxin s'ha posat en producció. Els productes inicials són principalment DDR4 de 8 GB. A la primera meitat de l'any vinent, hi haurà productes LPDDR4 de 8 GB, que continuaran entrant en producció massiva, però s'espera que arribi. El 2021, la capacitat de producció tindrà l’oportunitat d’arribar a 100.000 o més de la càrrega completa.
Tot i que Fujian Jinhua es va veure afectat per la prohibició dels Estats Units, els enginyers de la fàbrica no van poder mantenir l'equipament dels Estats Units, però els interns encara van intentar ajustar els paràmetres a la seva pròpia optimització. Es preveu que el film entri dins de les 10.000 unitats l’any que ve.
En general, Jibang estima que el 2020, el volum d'inversió en DRAM de la part continental representarà menys del 3% de la inversió global, i els resultats de la producció independent es mantindran. En el futur, la indústria de la memòria continental encara ha de superar els reptes de rendiment, la construcció de màquines i la propietat intel·lectual i s'hauria de seguir la puntualitat exacta de l'impacte en el subministrament general de la indústria DRAM.